BFR106

NXP  BFR106  晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 500 mW, 100 mA, 80 hFE

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 15V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 5GHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 80 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic SOT23 envelope. It is primarily intended for low noise, general RF applications. 描述与应用| 5 GHz的宽带NPN 说明 硅NPN平面外延晶体管在一个塑料SOT23信封。它的主要目的是为噪音低，一般的RF应用。