INFINEON BSP129 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V
SIPMOS® N 通道 MOSFET
欧时:
MOSFET，N沟道，240V，0.35A，SOT223
Newark:
MOSFET Transistor, Depletion, N Channel, 120 mA, 240 V, 20 ohm, 10 V, -1.4 V
针脚数 4
漏源极电阻 20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 240 V
连续漏极电流Ids 120 mA
上升时间 4.1 ns
输入电容Ciss 82pF @25VVds
下降时间 4.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Communications & Networking, Power Management, Automotive, Consumer Electronics, , 车用, 通信与网络, Automotive, Consumer Electronics, 电源管理, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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