BSC082N10LS G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0068 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
阈值电压 1.85 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 24 ns
输入电容Ciss 7400pF @50VVds
额定功率Max 156 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerTDFN-8
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PowerTDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSC082N10LS G
型号： BSC082N10LS G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSC082N10LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 V
替代型号BSC082N10LS G
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSC082N10LS G Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDMS86101 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSC082N10LS G和FDMS86101的区别 |