BUK753R1-40E

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BUK753R1-40E中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0026 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 234 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 100A

工作温度Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BUK753R1-40E
型号: BUK753R1-40E
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BUK753R1-40E  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0026 ohm, 10 V, 3 V
替代型号BUK753R1-40E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUK753R1-40E

NXP 恩智浦

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