BSS316N H6327中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.119 Ω
耗散功率 500 mW
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 94pF @15VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.10 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BSS316N H6327
型号： BSS316N H6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSS316N H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.119 ohm, 10 V, 1.6 V