INFINEON BAS 116 E6327 Small Signal Diode, Single, 75V, 250mA, 1.25V, 1.5µs, 4.5A
The is a silicon Low Leakage Diode feature medium speed switching times.
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- 370mW Total power dissipation
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- 85V Breakdown voltage
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- 2pF Capacitance
Due to technical requirements, components may contain dangerous substances.
立创商城:
80V 250mA 1.25V@150mA
得捷:
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
e络盟:
The BAS 116 E6327 is a silicon Low Leakage Diode feature medium speed switching times.
Chip1Stop:
Diode Switching 85V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Diode Switching 85V 0.25A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
正向电压 1.25 V
反向恢复时间 1.5 µs
正向电流 250 mA
最大正向浪涌电流（Ifsm） 4.5 A
正向电压Max 1.25 V
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Automotive, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BAS 116 E6327 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BAS116 恩智浦 | 功能相似 | BAS 116 E6327和BAS116的区别 |