BSS138N H6327参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSS138N H6327概述

INFINEON BSS138N H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 3.5 ohm, 10 V, 1 V

公司的为表面安装N通道的SIPMOS小信号, SOT-23封装.

.: 汽车级AEC-Q101标准

.: 漏极至源极电压: 60V

.: 栅-源电压：±20V

.: 持续漏电流ld: 230mA

.: 功率耗散: 360mW

.: 工作温度范围: -55°C至150°C

.: 低通导电阻: 2.2ohm, Vgs 10V

BSS138N H6327中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 3.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 32pF @25VVds

下降时间 8.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Consumer Electronics, 工业, Industrial, 消费电子产品, 便携式器材, 车用, Power Management, Portable Devices, 电源管理, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSS138N H6327

型号： BSS138N H6327

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON BSS138N H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 230 mA, 60 V, 3.5 ohm, 10 V, 1 V

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替代型号BSS138N H6327

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