NXP BSS138PW 晶体管, MOSFET, N沟道, 320 mA, 60 V, 0.9 ohm, 10 V, 1.2 V
The is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in a Surface Mounted Device SMD plastic package using Trench MOSFET technology.
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- Logic Level Compatible
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- Very Fast Switching
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- ESD Protection Upto 1.5kV
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- AEC-Q101 Qualified
针脚数 3
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.32A
输入电容Ciss 38pF @10VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.31 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, 音频, Audio, Automotive, 车用, 工业, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS138PW NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
2N7002KW 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSS138PW和2N7002KW的区别 |
2V7002WT1G 安森美 | 功能相似 | BSS138PW和2V7002WT1G的区别 |