INFINEON BSS84P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V
The from is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.
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- Automotive grade AEC-Q101 qualified
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- Drain to source voltage Vds of -60V
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- Gate to source voltage of ±20V
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- Continuous drain current Id of -170mA
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- Power dissipation pd of 360mW
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- Operating temperature range -55°C to 150°C
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- Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 8 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 360 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 16.2 ns
输入电容Ciss 19pF @25VVds
额定功率Max 360 mW
下降时间 20.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.10 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Portable Devices
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS84P H6327 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS84LT1G 安森美 | 功能相似 | BSS84P H6327和BSS84LT1G的区别 |
NDS0605 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSS84P H6327和NDS0605的区别 |
BSS84,215 恩智浦 | 功能相似 | BSS84P H6327和BSS84,215的区别 |