BSS84P H6327

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BSS84P H6327概述

INFINEON  BSS84P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V

The from is surface mount, P channel logic level enhancement mode SIPMOS small signal transistor in SOT-23 package. The device features dv/dt and Avalanche ratings.

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Automotive grade AEC-Q101 qualified
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Drain to source voltage Vds of -60V
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Gate to source voltage of ±20V
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Continuous drain current Id of -170mA
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Power dissipation pd of 360mW
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Operating temperature range -55°C to 150°C
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Low on state resistance of 8ohm at Vgs -4.5V
BSS84P H6327中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 8 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 360 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 16.2 ns

输入电容Ciss 19pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

下降时间 20.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.10 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Automotive, Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BSS84P H6327
型号: BSS84P H6327
描述:INFINEON  BSS84P H6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 8 ohm, -10 V, -1.5 V
替代型号BSS84P H6327
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