BUK1M200-50SGTD,11

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BUK1M200-50SGTD,11概述

SO N-CH 50V 2.7A

Power Switch/Driver 1:1 N-Channel 2.7A 20-SO


得捷:
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 20SO


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 2.7A Automotive 20-Pin SO T/R


BUK1M200-50SGTD,11中文资料参数规格
技术参数

输出接口数 4

极性 N-CH

耗散功率 9.4 W

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 2.7A

上升时间 700 ns

输出电流Max 2.7 A

下降时间 1600 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 9400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 20

封装 SOIC-20

外形尺寸

长度 13 mm

宽度 7.6 mm

高度 2.45 mm

封装 SOIC-20

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUK1M200-50SGTD,11
型号: BUK1M200-50SGTD,11
制造商: NXP 恩智浦
描述:SO N-CH 50V 2.7A
替代型号BUK1M200-50SGTD,11
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BUK1M200-50SGTD,11

NXP 恩智浦

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BUK1M200-50SGTD

安世

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