BSC12DN20NS3 G概述
INFINEON BSC12DN20NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.3 A, 200 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
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- Industry’s lowest R DSon
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- Lowest Q g and Q gd
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- World’s lowest FOM RoHS compliant − halogen free MSL 1 rated
Benefits:
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- Highest efficiency
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- Highest power density
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- Lowest board space consumption
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- Minimal device paralleling required
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- System cost improvement
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- Enviromentally friendly
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- Easy-to-design-in products
BSC12DN20NS3 G中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.108 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 680pF @100VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification for AC-DC SMPS
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSC12DN20NS3 G
型号： BSC12DN20NS3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSC12DN20NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.3 A, 200 V, 0.108 ohm, 10 V, 3 V