INFINEON BSP125 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V
The is a 20V N-channel Small Signal MOSFET suitable for a wide range of applications. Small signal MOSFET is offered in single, dual and complementary configurations.
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- Enhancement mode
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- AEC-Q101 qualified
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- Logic level
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V
Newark:
# INFINEON BSP125 Power MOSFET, N Channel, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V
针脚数 4
漏源极电阻 45 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 120 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
封装 SOT-223
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 消费电子产品, Power Management, 电机驱动与控制, 通信与网络, 车用, Communications & Networking, Motor Drive & Control, Onboard charger, Consumer Electronics, Automotive, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP125 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSP135 英飞凌 | 完全替代 | BSP125和BSP135的区别 |
BSP135L6327 英飞凌 | 完全替代 | BSP125和BSP135L6327的区别 |
BSP135L6906 英飞凌 | 完全替代 | BSP125和BSP135L6906的区别 |