INFINEON BSC039N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.8 V
OptiMOS™5 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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BSC039N06NS
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MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
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MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
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# INFINEON BSC039N06NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R
儒卓力:
**N-CH 60V 100A 3.9mOhm SON-8 **
力源芯城:
60V,6.9mΩ,100A,N沟道功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 69 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2000pF @30VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 69W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99