BSC039N06NS

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BSC039N06NS概述

INFINEON  BSC039N06NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.8 V

OptiMOS™5 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


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BSC039N06NS


得捷:
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8


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MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8


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# INFINEON  BSC039N06NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.8 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R


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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON T/R


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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 69W; PG-TDSON-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin TDSON EP T/R


儒卓力:
**N-CH 60V 100A 3.9mOhm SON-8 **


力源芯城:
60V,6.9mΩ,100A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8


BSC039N06NS中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 69 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2000pF @30VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: BSC039N06NS
描述:INFINEON  BSC039N06NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2.8 V

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