NXP BCV62B 双极晶体管阵列, 双PNP, 30 V, 250 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-143B
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -30V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -0.1A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 250MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 220~475 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3W 描述与应用 Description & Applications | PNP型硅双 良好的热耦合和VBE匹配 高电流增益 低饱和电压 技术文档PDF下载 | 在线阅读
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 250 mW
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 220
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-143
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-143
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCV62B NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCV62A,215 恩智浦 | 完全替代 | BCV62B和BCV62A,215的区别 |
BCV62C 安世 | 类似代替 | BCV62B和BCV62C的区别 |