BSZ097N04LS G

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BSZ097N04LS G概述

INFINEON  BSZ097N04LS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 8.1 mohm, 10 V, 1.2 V

I OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40V

OptiMOS™产品提供高效能封装,以解决最具挑战性的应用,在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

快速切换 MOSFET,用于 SMPS

优化技术,用于直流/直流转换器

符合目标应用的 JEDEC1 规格

N 通道,逻辑电平

极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM

极低导通电阻 R DSon

无铅电镀

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

BSZ097N04LS G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 8.1 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 2.4 ns

正向电压Max 1.2 V

输入电容Ciss 1900pF @20VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 35W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TSDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Or-ing switches, Isolated DC-DC converters, Synchronous rectification

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: BSZ097N04LS G
描述:INFINEON  BSZ097N04LS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 8.1 mohm, 10 V, 1.2 V

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