BSO080P03S H

BSO080P03S H图片1
BSO080P03S H图片2
BSO080P03S H图片3
BSO080P03S H图片4
BSO080P03S H图片5
BSO080P03S H概述

INFINEON  BSO080P03S H  晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -1.5 V

Summary of Features:

.
Enhancement mode
.
Normal level, logic level or super logic level
.
Avalanche rated
.
Pb-free lead plating; RoHS compliant

立创商城:
BSO080P03S H


得捷:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO Dry


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO


BSO080P03S H中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0067 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.79 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 5890pF @25VVds

额定功率Max 1.79 W

下降时间 110 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 1.79W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 P-DSO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 P-DSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSO080P03S H
型号: BSO080P03S H
描述:INFINEON  BSO080P03S H  晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -1.5 V
替代型号BSO080P03S H
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSO080P03S H

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BSO080P03SNTMA1

英飞凌

功能相似

BSO080P03S H和BSO080P03SNTMA1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台