INFINEON BSO080P03S H 晶体管, MOSFET, P沟道, -12.6 A, -30 V, 0.0067 ohm, -10 V, -1.5 V
Summary of Features:
立创商城:
BSO080P03S H
得捷:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin DSO Dry
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
针脚数 8
漏源极电阻 0.0067 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.79 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 5890pF @25VVds
额定功率Max 1.79 W
下降时间 110 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 1.79W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 P-DSO-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 P-DSO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSO080P03S H Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSO080P03SNTMA1 英飞凌 | 功能相似 | BSO080P03S H和BSO080P03SNTMA1的区别 |