BSC110N06NS3 G概述
INFINEON BSC110N06NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V
Summary of Features:
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- Very low on-resistance R DSon
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- Ideal for fast switching applications
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- RoHS compliant - halogen free
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- MSL1 rated
Benefits:
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- Highest system efficiency
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- Less paralleling required
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- Increased power density
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- System cost reduction
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- Very low voltage overshoot
BSC110N06NS3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 77 ns
输入电容Ciss 2700pF @30VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDSON-8
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification, Or-ing switches, Isolated DC-DC converters
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BSC110N06NS3 G
型号： BSC110N06NS3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSC110N06NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V