BSO615C G概述
INFINEON BSO615C G 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
Summary of Features:
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- Complementary p- + n-channel
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- Enhancement mode
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- Avalanche rated
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- Qualified according to AEC Q101
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- 100% lead-free; RoHS compliant
立创商城:
BSO615C G
Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A Automotive 8-Pin DSO
儒卓力:
**N+P CH -60/60V -2/3,1A SO-8 **
Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
BSO615C G中文资料参数规格
技术参数
额定电流 3.10 A
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 0.07 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 1.6 V
输入电容 380 pF
栅电荷 22.5 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
输入电容Ciss 380pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-DSO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 PG-DSO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BSO615C G
型号： BSO615C G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSO615C G 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.1 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V