BUK952R8-60E概述
NXP BUK952R8-60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 2200 µohm, 5 V, 1.7 V
The is a 60V logic level N-channel MOSFET uses TrenchMOS technology. Suitable for thermal demanding environments, transmission control, motor, lamps, solenoid controls and ultra high performance power switching applications.
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- 175°C Junction temperature
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- AEC-Q101 qualified
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- Repetitive avalanche rated
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- True logic level gate with VGS th rating of >0.5V at 175°C
BUK952R8-60E中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0022 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 349 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 120A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 电源管理, Automation & Process Control, Lighting, 自动化与过程控制, Automotive, 照明, Power Management, Motor Drive & Control, 车用, HVAC, 电机驱动与控制
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BUK952R8-60E
型号： BUK952R8-60E
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP BUK952R8-60E 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 2200 µohm, 5 V, 1.7 V