BSS138PS,115中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 960 mW
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.32A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 420 mW
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 420 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSS138PS,115
型号： BSS138PS,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP BSS138PS,115 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 320 mA, 60 V, 0.9 ohm, 10 V, 1.2 V
替代型号BSS138PS,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS138PS,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
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