BAS321,115

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BAS321,115概述

NXP  BAS321,115  二极管 小信号, 单, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A

The is a General Purpose Diode fabricated in planar technology, high switching speed and very low capacitance. This switching diode is suitable for general purposes.

.
200V Maximum continuous reverse voltage
.
625mA Maximum repetitive peak forward current
.
300mW Total power dissipation
.
2pF Capacitance
BAS321,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 2

正向电压 1.25V @200mA

热阻 366℃/W RθJA

反向恢复时间 50 ns

正向电流 250 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 9 A

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 250 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 150℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1.05 mm

封装 SOD-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 ECL99

数据手册

在线购买BAS321,115
型号: BAS321,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BAS321,115  二极管 小信号, 单, 250 V, 250 mA, 1.25 V, 50 ns, 9 A
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