BSP317P H6327中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 3 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.8 W
上升时间 11.1 ns
输入电容Ciss 210pF @25VVds
下降时间 67 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BSP317P H6327
型号： BSP317P H6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSP317P H6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -430 mA, -250 V, 3 ohm, -10 V, -1.5 V