NXP BSP122,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V
The is a N-channel enhancement-mode vertical D-MOS Transistor housed in a surface-mount package. It is intended for use as a line current interrupter in telephone sets and for applications in relay, high-speed and line transformer drivers.
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- Direct interface to C-MOS, TTL
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- High-speed switching
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- No secondary breakdown
针脚数 3
漏源极电阻 1.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 550 mA
输入电容Ciss 100pF @25VVds
额定功率Max 1.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management, Communications & Networking
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSP122,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
STN1HNK60 意法半导体 | 功能相似 | BSP122,115和STN1HNK60的区别 |
ZVN2110GTA 美台 | 功能相似 | BSP122,115和ZVN2110GTA的区别 |