VISHAY BPW85C 光电三极管,T1
850nm 顶视图 径向
得捷:
PHOTOTRANSISTOR 450 TO 1080 NM
艾睿:
Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 Bulk
TME:
Phototransistor; transparent; 50°; λp max:850nm; 70V; THT
Verical:
Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 Bulk
儒卓力:
**PHOTOTRANSISTOR 3MM,50°,3-8MA **
AMEYA360:
Vishay BPW85C, 50 ° 红外+可见光 光电晶体管, 通孔安装 3mm 封装
额定电流 50.0 mA
上升/下降时间 2.3 ns
通道数 1
针脚数 2
波长 850 nm
视角 25°
峰值波长 850 nm
极性 NPN
耗散功率 0.1 W
功耗 100 mW
上升时间 2 µs
击穿电压集电极-发射极 70 V
额定功率Max 100 mW
下降时间 2.3 µs
工作温度Max 100 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 100 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 T-1
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 4.5 mm
封装 T-1
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 100℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Sensing & Instrumentation, Automation & Process Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BPW85C Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SFH309FA-4 欧司朗 | 功能相似 | BPW85C和SFH309FA-4的区别 |