BFG31,115

BFG31,115图片1
BFG31,115图片2
BFG31,115图片3
BFG31,115图片4
BFG31,115图片5
BFG31,115图片6
BFG31,115图片7
BFG31,115图片8
BFG31,115图片9
BFG31,115图片10
BFG31,115图片11
BFG31,115图片12
BFG31,115图片13
BFG31,115概述

NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

射频双极,Nexperia

### 双极晶体管,Nexperia


欧时:
NXP BFG31 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=15 V, HFE:25, 5000 MHz, 4引脚 SOT-223 SC-73封装


得捷:
RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT223


贸泽:
射频RF双极晶体管 PNP 10V 100mA 14GHZ


e络盟:
射频晶体管, PNP


艾睿:
Trans RF BJT PNP 15V 0.1A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 15V 0.1A 4-Pin 3+Tab SC-73 T/R


Verical:
Trans RF BJT PNP 15V 0.1A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Newark:
# NXP  BFG31,115  Bipolar - RF Transistor, Wideband, PNP, -15 V, 5 GHz, 1 W, -100 mA, 25 hFE


DeviceMart:
TRANS PNP 10V 5GHZ SOT223


Win Source:
TRANS PNP 10V 5GHZ SOT223


BFG31,115中文资料参数规格
技术参数

频率 5000 MHz

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1 W

输入电容 5 pF

击穿电压集电极-发射极 15 V

最小电流放大倍数hFE 25 @70mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 25

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BFG31,115
型号: BFG31,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号BFG31,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BFG31,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BFQ149T/R

恩智浦

类似代替

BFG31,115和BFQ149T/R的区别

BFQ149,115

恩智浦

功能相似

BFG31,115和BFQ149,115的区别

BFQ149

恩智浦

功能相似

BFG31,115和BFQ149的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台