BQ4014MB-120

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BQ4014MB-120概述

256Kx8非易失SRAM 256Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 2Mb 256K x 8 Parallel 120ns 32-DIP Module 18.42x52.96


得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 2M-Bit 5V 32-Pin DIP Module


BQ4014MB-120中文资料参数规格
技术参数

电源电压 4.75V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

BQ4014MB-120引脚图与封装图
BQ4014MB-120引脚图
BQ4014MB-120封装图
BQ4014MB-120封装焊盘图
在线购买BQ4014MB-120
型号: BQ4014MB-120
制造商: TI 德州仪器
描述:256Kx8非易失SRAM 256Kx8 Nonvolatile SRAM

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