BQ4014YMB-120

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BQ4014YMB-120概述

256Kx8非易失SRAM 256Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 2Mb 256K x 8 Parallel 120ns 32-DIP Module 18.42x52.96


得捷:
IC NVSRAM 2MBIT PAR 32DIP MODULE


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 2M-Bit 5V 32-Pin DIP Module


BQ4014YMB-120中文资料参数规格
技术参数

存取时间 120 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买BQ4014YMB-120
型号: BQ4014YMB-120
制造商: TI 德州仪器
描述:256Kx8非易失SRAM 256Kx8 Nonvolatile SRAM

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