BSR316P L6327中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.3 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 165pF @25VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSR316P L6327
型号： BSR316P L6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON BSR316P L6327 晶体管, MOSFET, P沟道, -360 mA, -100 V, 1.3 ohm, -10 V, -1.5 V