BQ4011MA-200

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BQ4011MA-200概述

32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM

NVSRAM(非易失性 SRAM) 存储器 IC 256Kb(32K x 8) 并联 28-DIP 模块(18.42x37.72)


得捷:
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP


贸泽:
NVRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM


Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin DIP Module


BQ4011MA-200中文资料参数规格
技术参数

存取时间 200 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.75 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 DIP-28

外形尺寸

长度 37.72 mm

宽度 18.42 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-28

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: BQ4011MA-200
制造商: TI 德州仪器
描述:32Kx8非易失SRAM 32Kx8 Nonvolatile SRAM

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