BUK101-50GL参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BUK101-50GL图片1

BUK101-50GL中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 26.0 A

极性 N-CH

耗散功率 75 W

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 4 ns

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BUK101-50GL

型号： BUK101-50GL

制造商： NXP 恩智浦

描述：功率MOS晶体管逻辑电平TOPFET PowerMOS transistor Logic level TOPFET

替代型号BUK101-50GL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BUK101-50GL NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
BUK118-50DL,127 恩智浦	类似代替	BUK101-50GL和BUK118-50DL,127的区别
BUZ11_NR4941 飞兆/仙童	功能相似	BUK101-50GL和BUZ11_NR4941的区别
IRFZ14PBF 威世	功能相似	BUK101-50GL和IRFZ14PBF的区别