BCR141E6327HTSA1

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BCR141E6327HTSA1概述

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

双电阻器数字,

Infineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3


欧时:
Infineon BCR141E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.25W SOT23-3


BCR141E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 50 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 130 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCR141E6327HTSA1
型号: BCR141E6327HTSA1
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
替代型号BCR141E6327HTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCR141E6327HTSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BCR141E6433HTMA1

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