BC109B

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BC109B概述

MULTICOMP  BC109B  单晶体管 双极, 低噪, NPN, 25 V, 150 MHz, 600 mW, 200 mA, 450 hFE

The is a 25V Silicon NPN Bipolar Planar Epitaxial Transistor with low power.

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Collector-base voltageVcbo = 30V
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Emitter-base voltageVebo = 5V

e络盟:
单晶体管 双极, 低噪, NPN, 25 V, 150 MHz, 600 mW, 200 mA, 450 hFE


Newark:
# MULTICOMP  BC109B  Bipolar BJT Single Transistor, Low Noise, NPN, 25 V, 150 MHz, 600 mW, 200 mA, 450 hFE


BC109B中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 600 mW

直流电流增益hFE 450

工作温度Max 200 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-18

外形尺寸

封装 TO-18

其他

产品生命周期 Unknown

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

数据手册

BC109B引脚图与封装图
BC109B引脚图
BC109B封装图
BC109B封装焊盘图
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型号: BC109B
制造商: Multicomp
描述:MULTICOMP  BC109B  单晶体管 双极, 低噪, NPN, 25 V, 150 MHz, 600 mW, 200 mA, 450 hFE

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