BSP62,115

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BSP62,115概述

NXP  BSP62,115  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 2000 hFE

The is a PNP Darlington Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the industrial switching applications such as print hammer, solenoid, relay and lamp drivers.

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High current
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Low voltage
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Integrated diode and resistor
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NPN complements are BSP50, BSP51 and BSP52
BSP62,115中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 1.25 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V

额定功率Max 1.25 W

直流电流增益hFE 2000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Consumer Electronics, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSP62,115
型号: BSP62,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BSP62,115  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 200 MHz, 1.25 W, -1 A, 2000 hFE
替代型号BSP62,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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