NXP BFG35,115 晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE
射频双极,Nexperia
得捷:
RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
欧时:
NXP BFG35,115 , NPN 晶体管, 150 mA, Vce=18 V, HFE:25, 4000 MHz, 4引脚 SOT-223 SC-73封装
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE
艾睿:
This BFG35,115 RF amplifier from NXP Semiconductors offers superior characteristics as compared to RF MOSFETS allowing it to operate at higher RF frequencies. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.
安富利:
Trans GP BJT NPN 18V 0.15A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 18V 0.15A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 18V 0.15A 1000mW 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
Newark:
# NXP BFG35,115 Bipolar - RF Transistor, Wideband, NPN, 18 V, 4 GHz, 1 W, 150 mA, 70 hFE
RfMW:
Transistor
DeviceMart:
TRANS NPN 10V 150MA SOT223
Win Source:
TRANS NPN 10V 150MA SOT223
频率 4000 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 18 V
最小电流放大倍数hFE 25 @100mA, 10V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Power Management, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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