BSR30,115

BSR30,115图片1
BSR30,115图片2
BSR30,115图片3
BSR30,115图片4
BSR30,115图片5
BSR30,115图片6
BSR30,115图片7
BSR30,115图片8
BSR30,115中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 1.35 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @100mA, 5V

额定功率Max 1.35 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

高度 1.6 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSR30,115
型号: BSR30,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BSR30,115  双极性晶体管, PNP
替代型号BSR30,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSR30,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BSR30

恩智浦

功能相似

BSR30,115和BSR30的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台