NXP BFG198,115 晶体管 双极-射频, NPN, 10 V, 8 GHz, 1 W, 100 mA, 90 hFE
The is a NPN epitaxial planar Wideband Transistor in a plastic envelope, intended for wideband amplifier applications. The device offers a high gain and excellent output voltage capabilities.
得捷:
RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
e络盟:
NXP BFG198,115 晶体管 双极-射频, NPN, 10 V, 8 GHz, 1 W, 100 mA, 90 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.1A 1000mW 4-Pin3+Tab SC-73 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
DeviceMart:
TRANS NPN 10V 8GHZ SC73
Win Source:
TRANS NPN 10V 8GHZ SC73
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1 W
击穿电压集电极-发射极 10 V
最小电流放大倍数hFE 40 @50mA, 5V
额定功率Max 1 W
直流电流增益hFE 90
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17