NXP BCP69-16 单晶体管 双极, PNP, 20 V, 140 MHz, 625 mW, 1 A, 100 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −20V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| -1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 40MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~250 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.35W Description & Applications| PNP medium power transistor FEATURESFEATURES FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 20 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Power applications such as audio output stages. 描述与应用| PNP中等功率 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大20 V)。 应用 •通用开关和放大 •电源应用,如音频输出级
频率 140 MHz
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 625 mW
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 SOT-223
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCP69-16 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP69-25T/R 恩智浦 | 完全替代 | BCP69-16和BCP69-25T/R的区别 |
BCP69T1G 安森美 | 功能相似 | BCP69-16和BCP69T1G的区别 |