BA891T/R

BA891T/R中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1 V

耗散功率 0.715 W

正向电流 100 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-523

外形尺寸

封装 SOD-523

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BA891T/R
型号: BA891T/R
制造商: NXP 恩智浦
描述:DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, ULTRA SMALL, PLASTIC, SMD, UFP, SC-79, 2Pin, Microwave Mixer Diode
替代型号BA891T/R
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