INFINEON BSR802N L6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 20 V, 0.017 ohm, 2.5 V, 550 mV
OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
Infineon 立创商城:
N沟道 20V 3.7A
欧时:
### Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
儒卓力:
**N-CHAN.-FET 3.7A 20V SC59SOT23 **
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
针脚数 3
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 550 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 1447pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 4.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.1 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99