BSH203,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.66 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 417 mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids -470 mA
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 110pF @24VVds
额定功率Max 417 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买BSH203,215
型号： BSH203,215
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP BSH203,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -280 mA, -30 V, 0.66 ohm, -4.5 V, -680 mV
替代型号BSH203,215
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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