晶体管 双极-射频, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, 85 hFE
RF NPN 6.1V 120mA 900MHz 600mW 表面贴装型 SOT343-4-2
得捷:
RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343
欧时:
Infineon BFP780H6327XTSA1
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, 85 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 6.1V 0.12A 600mW 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
安富利:
RF BIP TRANSISTORS
Verical:
Trans RF BJT NPN 6.1V 0.12A 600mW 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Win Source:
RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343 / RF Transistor NPN 6.1V 120mA 900MHz 600mW Surface Mount PG-SOT343-4-1
针脚数 4
耗散功率 600 mW
击穿电压集电极-发射极 6.1 V
增益 27 dB
最小电流放大倍数hFE 85 @90mA, 5V
额定功率Max 600 mW
直流电流增益hFE 85
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343-4
封装 SOT-343-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 WLAN, WiMAX, WLL and MMDS, Auto, Cellular, PCS, DCS, UMTS, LTE, CDMA, WCDMA, GSM, GPRS, 2nd or 3rd stage LNA in the receive chain, UHF television, CATV, DBS, ISM, AMR, High linearity driver or pre-driver in the transmit chain, Repeaters, Commercial / industrial wireless infrastructure / basestations
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
