BSR43,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSR43,115概述

NXP BSR43,115 单晶体管双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.35 W, 1 A, 100 hFE

The is a NPN Medium Power Transistor housed in a plastic package. It is suitable for use with the thick and thin-film circuits, telephony and general industrial applications.

.: High current

.: Low voltage

.: PNP complements are BSR30, BSR31 and BSR33

.: AR4 Marking code

BSR43,115中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.35 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 1.35 W

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 1350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Industrial, Communications & Networking

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSR43,115

型号： BSR43,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP BSR43,115 单晶体管双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 1.35 W, 1 A, 100 hFE

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替代型号BSR43,115

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