NXP BCV62,215 双极晶体管阵列, 双PNP, -30 V, 250 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-143B
Bipolar BJT Transistor
得捷:
NEXPERIA BCV62 - SMALL SIGNAL BI
艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R
富昌:
BCV62 Series PNP 30 V 250 mW General-Purpose Double Transistor - SOT-143B
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 4-Pin 3+Tab SOT T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R
Newark:
# NXP BCV62,215 Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -30 V, 250 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-143B
Win Source:
TRANS PNP 30V 100MA DUAL SOT143B
频率 100 MHz
额定电流 100 mA
针脚数 4
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
额定电压 30 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
高度 1 mm
封装 TO-253-4
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电流镜像
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCV62,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCV62B,235 恩智浦 | 完全替代 | BCV62,215和BCV62B,235的区别 |
BCV62,235 恩智浦 | 完全替代 | BCV62,215和BCV62,235的区别 |
BCV62A,215 恩智浦 | 完全替代 | BCV62,215和BCV62A,215的区别 |