BSH 系列 -30 V 0.9 Ω 417 mW P-沟道 增强型 MOS 晶体管 - SOT-23
P-Channel 30V 520mA Ta 417mW Ta Surface Mount TO-236AB
得捷:
MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R
富昌:
BSH Series 30 V 0.9 Ohm 417 mW P-Channel Enhancement MOS Transistor - SOT-23-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin TO-236AB T/R
Newark:
# NXP BSH202,215 MOSFET Transistor, P Channel, -520 mA, -30 V, 0.63 ohm, -10 V, -1.9 V
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23
针脚数 3
漏源极电阻 0.63 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 417 mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids -520 mA
上升时间 4.5 ns
输入电容Ciss 80pF @24VVds
额定功率Max 417 mW
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BSH202,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
FDV304P 飞兆/仙童 | 功能相似 | BSH202,215和FDV304P的区别 |
SI2303CDS-T1-GE3 威世 | 功能相似 | BSH202,215和SI2303CDS-T1-GE3的区别 |