NXP BCP69-25,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 625 mW, -1 A, 160 hFE
The is a 2A PNP Medium Power Transistor housed in a surface-mount plastic package. It offers exposed heat-sink for excellent thermal and electrical conductivity.
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- High current
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- Three current gain selections
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- High power dissipation capability
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- BCP69/25 marking code
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- AEC-Q101 qualified
频率 140 MHz
针脚数 4
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 160 @500mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 160 @500mA, 1V
额定功率Max 650 mW
直流电流增益hFE 160
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCP69-25,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP69,135 恩智浦 | 类似代替 | BCP69-25,115和BCP69,135的区别 |
BCP69-25,135 恩智浦 | 类似代替 | BCP69-25,115和BCP69-25,135的区别 |
BCP69T1G 安森美 | 功能相似 | BCP69-25,115和BCP69T1G的区别 |