NXP BST82,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 V
The is a N-channel enhancement-mode FET in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver and logic level translator applications.
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- Very fast switching
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- Logic level compatible
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- Subminiature surface-mount package
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- -65 to 150°C Operating junction temperature range
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 830 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 190 mA
输入电容Ciss 40pF @10VVds
额定功率Max 830 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830mW Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
宽度 1.4 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BST82,215 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BST82 恩智浦 | 类似代替 | BST82,215和BST82的区别 |
BST82,235 恩智浦 | 类似代替 | BST82,215和BST82,235的区别 |
MMBF170 飞兆/仙童 | 功能相似 | BST82,215和MMBF170的区别 |