BSC050NE2LS

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BSC050NE2LS概述

INFINEON  BSC050NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2 V

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson


立创商城:
N沟道 25V 58A


欧时:
### Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R


力源芯城:
25V,58A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8


BSC050NE2LS中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 39A

上升时间 2.2 ns

输入电容Ciss 760pF @12VVds

额定功率Max 28 W

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 28W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.35 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger, VRD/VRM, Mainboard

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BSC050NE2LS
型号: BSC050NE2LS
描述:INFINEON  BSC050NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2 V
替代型号BSC050NE2LS
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BSC050NE2LS

Infineon 英飞凌

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当前型号

BSC077N12NS3G

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完全替代

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