BCV61C,215

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BCV61C,215概述

NXP  BCV61C,215  双极晶体管阵列, NPN, 30 V, 250 mW, 100 mA, 110 hFE, SOT-143B

Transistor Current Mirror 2 NPN Dual Current Mirror 30V 100mA Surface Mount SOT-143B


得捷:
NEXPERIA BCV61C - SMALL SIGNAL B


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 4-Pin 3+Tab SOT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


Newark:
# NXP  BCV61C,215  Bipolar Transistor Array, NPN, 30 V, 250 mW, 100 mA, 420 hFE, SOT-143B


BCV61C,215中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电流 100 mA

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420

直流电流增益hFE 110

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

额定电压 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电流镜像

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BCV61C,215
型号: BCV61C,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  BCV61C,215  双极晶体管阵列, NPN, 30 V, 250 mW, 100 mA, 110 hFE, SOT-143B
替代型号BCV61C,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCV61C,215

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BCV61A,215

恩智浦

完全替代

BCV61C,215和BCV61A,215的区别

BCV61,235

恩智浦

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BCV61C,215和BCV61,235的区别

BCV61B,235

恩智浦

完全替代

BCV61C,215和BCV61B,235的区别

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