BC847BVN,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC847BVN,115中文资料参数规格

技术参数

频率 100 MHz

针脚数 6

极性 NPN, PNP

耗散功率 200 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-666

物理参数

重量 0.004535924 kg

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买BC847BVN,115

型号： BC847BVN,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：NXP BC847BVN,115 双极晶体管阵列, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-666

替代型号BC847BVN,115