BLT50,115

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BLT50,115概述

NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

射频双极,Nexperia

### 双极晶体管,Nexperia


得捷:
RF TRANS NPN 10V 470MHZ SOT223


欧时:
### 射频双极晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors


贸泽:
射频RF双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFPR


艾睿:
Trans RF BJT NPN 10V 0.5A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
BLT50 系列 470 MHz 20 V NPN 超高频 功率晶体管 表面贴装 - SOT-223


Verical:
Trans RF BJT NPN 10V 0.5A 2000mW 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Newark:
# NXP  BLT50,115  Bipolar - RF Transistor, NPN, 10 V, 470 MHz, 2 W, 500 mA, 25 hFE


RfMW:
RF Power Transistor, 0.005 to 0.47 GHz, 1.2 W, 10 dB, 7.5 V, BiPolar, SOT-223


DeviceMart:
TRANS NPN UHF 7.5V SOT223


Win Source:
TRANS NPN UHF 7.5V SOT223


BLT50,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 2 W

输出功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 10 dB

最小电流放大倍数hFE 25 @300mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 25

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2 W

电源电压 7.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.7 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLT50,115
型号: BLT50,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号BLT50,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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BLT50

恩智浦

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BLT50,115和BLT50的区别

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